:: نویسندگان


دوره شماره -
1. برآورد کارایی سلول های SRAM توان پایین در تکنولوژی گیت های همه جانبه

مائده پاکزاد پهمدانی1، راهبه نیارکی اصلی2،

صفحات : 56-65

چکیده
  تکنولوژی های چند گیتی به دلیل قابلیت کنترل عالی گیت بر روی کانال منجر به شیب زیر آستانه ایده آل و ایمنی قوی در برابر اثرات کانال کوتاه می شود. مشخصه زیر آستانه ایده آل تکنولوژی گیت همه جانبه (GAA) یک ...
مشاهده مقاله مقاله پژوهشی

مقالات پر بازدید