برآورد کارایی سلول های SRAM توان پایین در تکنولوژی گیت های همه جانبه

نویسندگان :

تکنولوژی های چند گیتی به دلیل قابلیت کنترل عالی گیت بر روی کانال منجر به شیب زیر آستانه ایده آل و ایمنی قوی در برابر اثرات کانال کوتاه می شود. مشخصه زیر آستانه ایده آل تکنولوژی گیت همه جانبه (GAA) یک ویژگی اساسی برای حفظ نسبت Ion / Ioff بالا در عملیات ولتاژ پایین است. سلول SRAM مبتنی بر تکنولوژی گیت همه جانبه، برای حافظه ی کم توان با ولتاژ تغذیه پایین قابل استفاده است. در اين مقاله، کارآیی سلول های SRAM در تکنولوژی GAAاز نظر مصرف توان، پایداری و سرعت عملکرد ارزیابی شد و با طراحی این سلول ها در تکنولوژی FinFET مورد مقایسه قرار گرفته است. شبیه سازی ها با استفاده از نرم افزار HSPICE و مدل BSIM-CMG و فناوری 10 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد، مصرف توان استاتیکی سلول های SRAM کم توان در تکنولوژی GAA بین 78% تا 86% بهبود پیدا می کند. همچنین در تکنولوژی GAA پایداری HSNM و RSNM بین 41% تا 131% نسبت به سلول های مشابه در تکنولوژی FinFET افزایش می یابد.