طراحی و شبیه سازی ترانزیستور CMOS در باند فرکانس RF و تعیین مشخصه های بهینه شده در ارتباطات

نویسندگان :

در سی سال گذشته، مدارهای مجتمع از ساختارهای کم سرعت با پیچیدگی کم به سیستم های پرسرعت و پیچیده که شامل تعداد بیشماری مدار الکترونیکی می باشد، تبدیل شده اند. افزایش اثرات کانال کوتاه به نظر می رسد به عنوان یک مانع عمده برای حفظ بهبود عملکرد معمولی ماسفت بالک SI (ماسفت) متداول با گره تکنولوژی نانومتری است. اختلاط فن آوری های جدید در حال تبدیل شدن دستگاه های CMOS زیر میکرون عمیق است. در میان راه حل های مختلف ممکن است، ساختار دستگاه ماسفت غیر متعارف با به کارگیری مهندسی مواد گیت استفاده می شودکه باعث بهبود بهره وری انتقال گیت توسط اصلاح الگوی میدان الکتریکی وتغییراحتمالی سطح در طول کانال میشود. در این تحقیق به بررسی تغییرات میدان و پتانسیل در ترانزیستورهای با گیت دو ماده ای می پردازیم. بعلاوه، در این تحقیق به طراحی و شبیه سازی ترانزیستور GAA استوانه ای و مستطیلی می پردازیم. ابتدا به طراحی و شبیه سازی ترانزیستور GAA استوانه ای پرداخته و مشخصه های آن شامل نمودار ولتاژ-جریان، شیب زیرآستانه، جریان روشن و خاموش و ولتاژ آستانه ی آن را بررسی می کنیم. و سپس با شبیه سازی این اثرات در ترانزیستور GAA مستطیلی نتایج آن را با یکدیگر مقایسه می کنیم.